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王智勇

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教育经历:1992年毕业于北京理工大学工程光学系,1995年与1998年在2138cc太阳集团分别获光学专业硕士和博士学位,1998-1999年间在德国柏林工业大学开展合作研究,1999年入选北京市科技新星计划,2009年入选教育部新世纪优秀人才支持计划。长期从事高功率半导体激光芯片、高效率砷化镓太阳能电池芯片、高能光电器件制备与集成技术、大功率半导体激光器技术与应用、大功率光束传输、聚焦与耦合技术、高倍聚光太阳能光伏发电技术与工程等研究工作。获得北京市科技进步二等奖、三等奖各一次,国防科技进步二等奖一次、三等奖两次。

科研条件:所带领的先进半导体光电所实验室1000多平方米实验室,其中洁净室800多平方米,拥有MBE、光刻机、PECVDICP-RIE、研磨抛光机、蒸铟镀膜机、金丝球焊机、贴片机以及完备的光电测试设备,可完成半导体激光芯片材料外延生长、芯片流片、封装集成、测试应用与系统工程化的完整研发路径,形成了从研发到成果转化的产学研路线,相关成果在工业加工、消费电子、国防等领域获得广泛应用。


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