主要研究方向为功率半导体器件与功率集成电路

近几年，作为项目负责人主持国家自然科学基金面上项目、企业横向项目研究多项，涉及新型内透明集电极IGBT研制、军用和工业用VDMOSFET研发、IGBT系列产品研发、SiC MOSFET分析等。作为骨干成员参与总装预研项目、国家发改委项目、国家电网项目、企业横向项目20余项，涉及高压IGBT/高压逆导IGBT结构与制造技术研究、芯片可靠性和坚固性问题研究、抗辐照功率MOSFET设计与制造技术开发、SiC基功率MOSFET抗辐照性能研究、GaN HEMT可靠性研究、功率快恢复二极管FRD研制、智能功率模块研究等方面。发表学术论文几十篇，获北京市科技进步奖一项。