基本情况

苏金宝，男，工学博士，硕士研究生导师，2138CC太阳集团电子科学技术系教师，全国研究生教育评估监测专家库专家。主要从事氧化物半导体器件与光电子器件的研究，作为项目负责人主持北京市自然科学基金和北京市教委科技计划等项目，参与国家自然科学基金和美国国家科学基金会等项目，发表SCI论文20余篇。承担本科生课程《量子力学Ⅲ》和研究生课程《半导体光电子学》的教学工作，指导的学生获得2138cc太阳集团“星火基金”重点资助和北京市高校人工智能创新大赛（工大赛）一等奖，2024年被评为2138cc太阳集团立德树人优秀班主任。

教育经历

北京交通大学，电子科学与技术，博士

美国布朗大学，电子工程，联合培养博士

研究兴趣与招生方向

研究兴趣：

1.氧化物半导体薄膜晶体管

Oxide semiconductor thin film transistors (TFTs)

2.半导体光电子器件，如垂直腔面发射激光器和光电晶体管

Semiconductor optoelectronic devices, such as vertical-cavity surface-emitting lasers(VCSELs)and phototransistors

招生方向：

0809电子科学与技术（学硕）

085403集成电路工程（专硕）

科研项目

1. 北京市自然科学基金青年项目，2024,主持

2. 北京市教委科技计划一般项目，2024,主持

3. 北京市博士后科研活动经费，2024,主持

4. 主持2项校级科研项目，参与2项国家自然科学基金面上项目、2项校级科研项目、1项企业委托项目和1项美国国家科学基金会（NSF）项目。

期刊论文

1.X Yan,J Su*, B Wu, Y Liu, J Deng, Y Xie, Study of SiO₂/ZnS-based broadband mirror vertical cavity surface emitting laser,Infrared and Laser Engineering, vol. 54, no. 7, p.20250059, Jul. 2025.

2.J Su*, Y Ma, X Mu, X Yan, Y Xie, Highly smooth and transparent p-type conducting CuI thin film deposited by sputtering,J. Mater. Sci. Mater. Electron., vol. 36, no. 15, pp. 1-7, May. 2025.

3.S Du,J Su^*, H Zhou, H Zhang, P Qiu, J Deng, Q Kan and Y Xie, Impact of Oxide Aperture on the Static and Dynamic Performance of 850-nm VCSELs,IEEE Photonics Technol. Lett.,vol. 36, no. 24, pp. 1453-1456, Dec. 2024.

4.J Su, H Yang, W Yang, X Zhang, Electrical characteristics of tungsten doped InZnSnO thin film transistors by RF magnetron sputtering,J. Vac. Sci. Technol. B, vol. 40, no. p. 032201, May. 2022.

5.J Su, H Yang, Y Ma, R Li, L Jia, D Liu, X Zhang, Annealing atmosphere-dependent electrical characteristics and bias stability of N-doped InZnSnO thin film transistors,Mater. Sci. Semicond. Process., vol. 113C, p. 105040, Jul. 2020.

6.J Su, R Li, Y Ma, S Dai, Y Wang, H Yang, X Zhang,Annealing temperature effects on the structural and electrical properties of N-doped In-Zn-Sn-O thin film transistors,J. Alloy. Compd., vol. 801, pp. 33-39, Sep. 2019.

7.J Su, Q Wang, Y Ma, R Li, S Dai, Y Wang, H Yang, X Zhang, Amorphous InZnO: Li/ZnSnO: Li dual-active-layer thin film transistors,Mater. Res. Bull., vol. 111, pp. 165-169, Mar. 2019.

8.J Su, Y Ma, H Yang, R Li, L Jia, D Liu, X Zhang, Electrical characteristics of Li and N co-doped amorphous InZnSnO thin film transistors,J. Vac. Sci. Technol. A, vol. 37, no. 6, p. 061511, Nov. 2019.

9.J Su, Y Wang, Y Ma, Q Wang, L Tian, S Dai, R Li, X Zhang, Y Wang, Preparation and electrical characteristics of N-doped In-Zn-Sn-O thin film transistors by radio frequency magnetron sputtering,J. Alloy. Compd., vol. 750, pp. 1003-1006, Jun. 2018.

10.H Yang, W Yang,J Su, X Zhang,Preparation and electrical characteristics of transparent thin film transistors with sputtered aluminum and phosphorus co-doped indium-zinc-oxide channel layer,Solid-State Electron., vol. 208, p. 108725, Oct. 2023.

联系方式

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