个人简介

潘世杰，女，博士，校聘教授。2024年7月获2138cc太阳集团工学博士学位，同年留校任教。2025年入选2138cc太阳集团高层次人才队伍建设计划“青年优秀人才”项目。近年来，围绕GaN HEMT、CNTFET等新型半导体器件陷阱理论及表征技术开展研究工作，分析电、热、辐照等多种应力下器件性能退化及相关机理，在国际知名学术期刊发表论文30余篇，其中近五年以第一作者/通讯作者在IEEE TIM、APL、IEEE TED等期刊发表SCI论文11篇，申请国家发明专利9项。

研究方向

宽禁带半导体器件、碳基器件陷阱表征技术及综合理论研究；

新型半导体器件电热可靠性及失效机理相关研究。

教育经历

2018年-2024年 2138cc太阳集团 电子科学与技术 博士

2014年-2018年 2138cc太阳集团 电子科学与技术 学士

工作履历

2025年-至今 2138cc太阳集团 校聘教授

2024年-2025年 2138cc太阳集团 讲师

科研项目

1.国家自然科学基金青年项目（主持）

2.2138cc太阳集团高层次青年优秀人才启动项目（主持）

3.中国博士后科学基金第76批面上项目（主持）

4.国家资助博士后研究人员计划C档（主持）

5.北京市博士后科研活动经费创新A类资助（主持）

荣誉和获奖

1. 2025年获2138cc太阳集团高层次青年优秀人才

2. 2024年获北京市普通高等学校优秀毕业生

3. 2024年获2138cc太阳集团优秀毕业生、百佳毕业生

4. 2022年获博士研究生国家奖学金

5. 2022年获中国电子学会集成电路奖学金一等奖学金

主要论文论著

（第一作者或通讯作者）：

1.Shijie Pan,Hui Zhu,Shiwei Feng, et al. Trapping Behaviors in CNTFETs: Measurement andAnalysis of Time Constant, Energy Level, and TrapLocation Based on Transient Drain Current[J]. IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement, 2025, 74:1007014.

2.Zixuan Feng,Shijie Pan*,Shiwei Feng, et al.γ-irradiation induced trapping effects on off-state and on-state p-GaN Gate high-electron-mobility transistors[J]. Materials Science in Semiconductor Processing, 2025,198:109799.

3.Shijie Pan,Shiwei Feng, Xuan Li, et al. A Trap Characterization System for GaN HEMTs Based on Transient Drain Voltage[J]. IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement, 2024, 73: 6000912.

4.Shijie Pan,Yamin Zhang, Shiwei Feng, et al. Evaluation of Trapping Behaviors in Forward Biased Schottky-Type p-GaN Gate HEMTs[J]. IEEE Transactions on Electron Devices, 2023, 70(7): 3475-3482.

5.Shijie Pan,Shiwei Feng, Xuan Li, et al. Characterization of hole traps in reverse-biased Schottky-type p-GaN gate HEMTs by current-transient method. Applied Physics Letters, 2022, 121(15): 153501.

6.Shijie Pan,Shiwei Feng, Xuan Li, et al. Identification of Traps in p-GaN Gate HEMTs During OFF-State Stress by Current Transient Method[J]. IEEE Transactions on Electron Devices, 2022, 69(9): 4877-4882.

7.Shijie Pan,Shiwei Feng, Xuan Li, et al. Characterization of traps in GaN-based HEMTs by drain voltage transient and capacitance deep-level transient spectroscopy[J]. Semiconductor Science and Technology, 2022, 37(9): 95017.

8.Shijie Pan,Shiwei Feng, Xuan Li, et al. Identifying the Properties of Traps in GaN High-Electron-Mobility Transistors via Amplitude Analysis Based on the Voltage-Transient Method[J]. IEEE Transactions on Electron Devices, 2021, 68(11): 5541-5546.

9.Shijie Pan,Shiwei Feng, Xuan Li, et al. Analysis of the Effects of High-Energy Electron Irradiation of GaN High-Electron-Mobility Transistors Using the Voltage-Transient Method[J]. IEEE Transactions on Electron Devices, 2021, 68(8): 3968-3973.

10.Shijie Pan,Shiwei Feng, Xuan Li, et al. Effects of gamma irradiation on GaN high-electron-mobility transistors characterized by the voltage-transient method[J]. Semiconductor Science and Technology, 2021, 36(9): 95011.